文章涉及到的PY-T、国产高端IC-2FBr、PY2F-T的化学结构图6. (a)器件结构图 (b)伏安特性曲线。

手机（c）电阻随写入电流脉冲而变化。（i，国产高端j）并五苯/HfS2异质结装置的结构及工作原理。

它们为中间态提供了可控制的易失性和非易失性物理变量，手机可用于在数学上增加冯·诺依曼和内存计算体系结构的信息密度。提供每种方法中组件器件的品质因数（FOMs），国产高端并检查了材料朝着优化或实现FOMs的演变。（g-i）掺杂R6G有机染料的石墨烯晶体管在光照射下的工作示意图，手机器件的NTC传输特性，以及STI运行。

尽管人们对MVL门越来越感兴趣，国产高端并获得了令人鼓舞的结果，但很少有研究讨论了可用于实现这些器件的材料的实际标准。手机相关研究成果以RecentAdvancesonMultivaluedLogicGates:AMaterials Perspective为题发表在AdvancedScience上。

（f-h）BP/ReS2异质结器件的结构，国产高端STI和SRAM。

手机（f）基于纳米粒子的器件中的多级存储行为。包含3维示意图绘制，国产高端矢量图绘制等

中国化学会副理事长、手机中国国际科技促进会副会长、手机中关村石墨烯产业联盟理事长、中关村科技园区丰台园科协第三届委员会主席、教育部科技委委员及学风建设委员会副主任和国际合作学部副主任。国产高端2012年当选发展中国家科学院院士。

文献链接：手机https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c00348二、手机江雷江雷，1965年3月生吉林长春，无机化学家、纳米材料专家，中国科学院院士 、发展中国家科学院院士、美国国家工程院外籍院士  ，中国科学院化学研究所研究员、博士生导师，北京航空航天大学化学与环境学院院长 。国产高端2004年兼任国家纳米科学中心首席科学家。