我在我办公桌旁边空闲的桌子下面，进新展济给它弄了一个箱子和一个猫窝。

时代山文献链接：FlatbandsandEmergentFerromagneticOrderinginFe3Sn2KagomeLattices（Phys.Rev.Lett.,2018,DOI:10.1103/PhysRevLett.121.09640）。主展区折射（d）Fe-Sn-1（实心圆）和Sn（虚线圆）的费米能级的光发射强度和费米面叠加图。

题成博士生林志勇为文章第一作者。【引言】在电子能带理论中，东等代经固体的能带结构是通过求解晶格周期电位中电子的单电子薛定谔方程确定。年巨（d）块体Fe3Sn2铁磁态的DOS图。

进新展济（d）三个不同原子分辨率层的横截面TEM图像。通过理论计算和模型证实，时代山影响带平坦度的主要原因是kagome晶格内Bloch波函数的局部破坏性。

主展区折射图3Fe-Sn-1表面的扫描隧道谱（a）沿蓝线的差分电导图（顶部）及其在Vs =-0.2V的STM图像（底部）。

未来对平带电子结构的进一步调控，题成比如调节费米面位置，将有可能实现其它在拓扑量子计算方面有应用前景的新奇量子态。长期从事新型低维半导体材料的制备及其光电功能器件的研究，东等代经近年来在二维原子晶体和分子晶体的构筑及器件输运性能探索等方面取得了一系列进展。

而单层B-As是一种间接带隙半导体，年巨其带隙值约为1-1.5eV。然而，进新展济迄今为止，黑砷晶体的实验报道还非常少，其晶体合成仍面临着巨大挑战。

此外，时代山研究人员预测少层B-As也具有高的载流子迁移率，这些优异的物理性质使其成为应用于微纳电子器件领域的一种候选材料。最近，主展区折射团队还发表题为VariousStructuresofTwo-DimensionalTransitionMetalDichalcogenidesandTheirApplications的综述文章（SmallMethods2018,DOI:10.1002/smtd.201800094），主展区折射总结了近年来二维过渡金属硫族化合物及其合金和异质结的相关研究工作，分析了这三类体系晶体堆积、合成与制备方法、能带结构和物理性能，并简要介绍了他们在各类光电器件方面的应用。